品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4939NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2348ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:678pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:678pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:553pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@7.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4436DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4436DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS462EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@7.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:553pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@7.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@7.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@7.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2348ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
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栅极电荷:20nC@10V
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输入电容:755pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
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输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2348ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4436DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:678pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS462EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS462EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:678pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
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连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@7.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS462EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:678pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: