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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3438-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.95nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438-AU_R1_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438-AU_R1_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3438-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.95nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3438-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.95nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438-AU_R1_000A1 起订13个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438-AU_R1_000A1 起订13个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3438-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.95nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3438-AU_R1_000A1

    输入电容:36pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:500mA

    漏源电压:50V

    类型:N沟道

    功率:500mW

    导通电阻:1.45Ω@500mA,10V

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.95nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP298H6327XUSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP298H6327XUSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":189}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP298H6327XUSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20Q-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20Q-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20Q-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW€920mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36FS,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36FS,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K36FS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.23nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:630mΩ@200mA,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2110GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    AOS Mosfet场效应管 AO5404E 起订9个装
    AOS Mosfet场效应管 AO5404E 起订9个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO5404E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    onsemi Mosfet场效应管 BS170-D26Z
    onsemi Mosfet场效应管 BS170-D26Z

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170-D26Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    EPC Mosfet场效应管 EPC2219
    EPC Mosfet场效应管 EPC2219

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2219

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.064nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10pF@32.5V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@59mA,5V

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD15380F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.35V@2.5µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.281nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.5pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1190mΩ@100mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2110GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20-7
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2110GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170LT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170LT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4003NT3G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4003NT3G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4003NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@5V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4424GQTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4424GQTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4424GQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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