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    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 160A
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S203ATMA4
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S203ATMA4

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":200,"19+":575,"22+":194995,"23+":7507,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB160N04S203ATMA4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:157
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4LH1ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4LH1ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB160N04S4LH1ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:2.2V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14950pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4H1ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4H1ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1590,"23+":853}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB160N04S4H1ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10920pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:302
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4H1ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4H1ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB160N04S4H1ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10920pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB030N08N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB030N08N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB030N08N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:3.5V@155µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8110pF@40V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF2804STRL7PP 起订81个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF2804STRL7PP 起订81个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":170,"21+":1600,"23+":553,"24+":2250}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF2804STRL7PP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:330W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6930pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@160A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:81
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4H1ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4H1ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB160N04S4H1ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10920pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XK1R9F10QB,LXGQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XK1R9F10QB,LXGQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:184nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11500pF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.92mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP160N055TUJ-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP160N055TUJ-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP160N055TUJ-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10350pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:128
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK160F10N1L,LQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK160F10N1L,LQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK160F10N1L,LQ

    工作温度:175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XK1R9F10QB,LXGQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XK1R9F10QB,LXGQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:184nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11500pF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.92mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R6-30MLHX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R6-30MLHX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":60000,"MI+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R6-30MLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:106W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2369pF@15V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:885
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S3H2ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S3H2ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":377,"21+":8492,"22+":44000,"23+":11000,"24+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB160N04S3H2ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:168
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB030N08N3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB030N08N3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB030N08N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:3.5V@155µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8110pF@40V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R5-40YLDX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R5-40YLDX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R5-40YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:147W

    阈值电压:2.05V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5583pF@20V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R5-40YLDX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R5-40YLDX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R5-40YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:147W

    阈值电压:2.05V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5583pF@20V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK160F10N1L,LXGQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK160F10N1L,LXGQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK160F10N1L,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB030N08N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB030N08N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB030N08N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:3.5V@155µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8110pF@40V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4LH1ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4LH1ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":308,"21+":2953}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB160N04S4LH1ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:2.2V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14950pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XK1R9F10QB,LXGQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XK1R9F10QB,LXGQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:184nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11500pF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.92mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK160F10N1L,LXGQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK160F10N1L,LXGQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK160F10N1L,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R5R04PB,LXGQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R5R04PB,LXGQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:205W

    阈值电压:3V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4LH1ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4LH1ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB160N04S4LH1ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:2.2V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14950pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    RENESAS Mosfet场效应管 NP160N055TUJ-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP160N055TUJ-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP160N055TUJ-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10350pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S203ATMA4
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S203ATMA4

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":200,"19+":575,"22+":194995,"23+":7507,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB160N04S203ATMA4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S203ATMA4
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S203ATMA4

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":200,"19+":575,"22+":194995,"23+":7507,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB160N04S203ATMA4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XK1R9F10QB,LXGQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XK1R9F10QB,LXGQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:184nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11500pF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.92mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK160F10N1L,LXGQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK160F10N1L,LXGQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK160F10N1L,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4H1ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4H1ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB160N04S4H1ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10920pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R5R04PB,LXGQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R5R04PB,LXGQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:205W

    阈值电压:3V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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