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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6QTA
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6QTA
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
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栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.1W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
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功率：1.1W
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栅极电荷：5.8nC@10V
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输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
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功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
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输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
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栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：5.8nC@10V
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输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6QTA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
功率：1.1W
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
功率：1.1W
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4V@520µA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
漏源电压：60V
连续漏极电流：2.8A
输入电容：790pF@30V
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4V@520µA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
漏源电压：60V
连续漏极电流：2.8A
输入电容：790pF@30V
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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