采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@140μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2520T1H-T2-AT
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@5V
输入电容：1.1nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：13.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@140μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2520T1H-T2-AT
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@5V
输入电容：1.1nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：13.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：314164，"24+"：11866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3GATMA1
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@33μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ14PBF-BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：314164，"24+"：11866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3GATMA1
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@33μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2520T1H-T2-AT
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@5V
输入电容：1.1nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：13.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：596，"20+"：2759，"21+"：1381}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：314164，"24+"：11866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3GATMA1
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@33μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：596，"20+"：2759，"21+"：1381}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1354，"22+"：2188}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@140μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@140μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2520T1H-T2-AT
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@5V
输入电容：1.1nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：13.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：596，"20+"：2759，"21+"：1381}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@140μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@140μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
