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    ECCN
    连续漏极电流
    20A
    行业应用
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 20A
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    瞻芯 Mosfet场效应管 IV1Q12160T4
    瞻芯 Mosfet场效应管 IV1Q12160T4

    品牌:瞻芯

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IV1Q12160T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:138W

    阈值电压:2.9V@1.9mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:885pF@800V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@10A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM480P06CP ROG

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM480P06CP ROG

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM480P06CH X0G

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1250pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S2L35ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S2L35ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S2L35ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@27µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:508pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N10S4L35AATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N10S4L35AATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N10S4L35AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:2.1V@16µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1105pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA20N60F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S2L65ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S2L65ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2202,"22+":3419,"23+":175624,"24+":23758,"MI+":2022}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S2L65ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:830
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":70128,"24+":13849,"MI+":10955}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:2.2V@22µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:638
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S2L35ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S2L35ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S2L35ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@27µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:2.2V@22µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNXC7G
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNXC7G

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020KNXC7G

    功率:68W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.55nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76629D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S2L50ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S2L50ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S2L50ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:51W

    阈值电压:2V@19µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRLR2703TRL 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRLR2703TRL 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":144000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRLR2703TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L11ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L11ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L11ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:41W

    阈值电压:2.2V@15µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1990pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZA65R107M1HXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZA65R107M1HXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:5.7V@3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:496pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:142mΩ@8.9A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:120
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3707-1E
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3707-1E

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":721}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3707-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€25W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2150pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ687-ZK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ687-ZK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ687-ZK-E1-AY

    工作温度:150℃

    功率:1W€36W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S2L50ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S2L50ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S2L50ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:51W

    阈值电压:2V@19µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AOD454A
    AOS Mosfet场效应管 AOD454A

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD454A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€37W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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