品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
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栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
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库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0349DSP-00#J0
工作温度:150℃
功率:2.5W
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栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
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栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
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包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
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导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
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库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ687-ZK-E1-AY
工作温度:150℃
功率:1W€36W
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栅极电荷:57nC@4.5V
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输入电容:4400pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN6R303NC,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€19W
阈值电压:2.3V@200µA
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栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
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连续漏极电流:20A
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导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
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输入电容:1400pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
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库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ687-ZK-E1-AY
工作温度:150℃
功率:1W€36W
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN6R303NC,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€19W
阈值电压:2.3V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ687-ZK-E1-AY
工作温度:150℃
功率:1W€36W
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ687-ZK-E1-AY
工作温度:150℃
功率:1W€36W
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ687-ZK-E1-AY
工作温度:150℃
功率:1W€36W
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
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栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: