采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CH X0G
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：1851}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06L-001
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€60W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：管件
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CH X0G
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ34GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CH X0G
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：1851}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06L-001
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€60W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：管件
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：1050，"MI+"：2386}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06-001
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CH X0G
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CH X0G
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ34GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：TSM480P06CH X0G
连续漏极电流：20A
导通电阻：48mΩ@8A，10V
工作温度：-50℃~150℃
漏源电压：60V
栅极电荷：22.4nC@10V
类型：P沟道
包装方式：管件
阈值电压：2.2V@250µA
功率：66W
输入电容：1250pF@30V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ34GPBF
连续漏极电流：20A
导通电阻：50mΩ@12A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：1200pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
