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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C468NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：12A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3013SFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1674pF@15V
连续漏极电流：12A€35A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3013SFV-7
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功率：940mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1674pF@15V
连续漏极电流：12A€35A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS5C468NT1G
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类型：N沟道
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功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1674pF@15V
连续漏极电流：12A€35A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：NVMFS5C468NT1G
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类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@11.5A，10V
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类型：N沟道
阈值电压：3.5V@250µA
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类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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功率：940mW
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ECCN：EAR99
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类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@11.5A，10V
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行业应用：工业,汽车
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功率：3.5W€28W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：12A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
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输入电容：1674pF@15V
连续漏极电流：12A€35A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@11.5A，10V
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：12A€35A
类型：P沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~175℃
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
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连续漏极电流：12A€35A
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ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
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