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    强茂 Mosfet场效应管 PJMP210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMP210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMP210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    输入电容:1.412nF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    强茂 Mosfet场效应管 PJMP210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMP210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMP210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    输入电容:1.412nF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF990N65EC_T0_00001 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF990N65EC_T0_00001 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF990N65EC_T0_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:22.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:306pF@400V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:990mΩ@2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU014PBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W€2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":701,"22+":3610,"23+":2632}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:248
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.774nF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP10N20C
    onsemi Mosfet场效应管 FQP10N20C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":45,"24+":16000,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP10N20C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:360mΩ@10V,4.75A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:555
    onsemi Mosfet场效应管 FQD20N06TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD20N06TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD20N06TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:16.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,8.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF10N20C
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF10N20C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF10N20C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:360mΩ@4.75A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFPS37N50A-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFPS37N50A-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:446W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.579nF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:130mΩ@22A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:510
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFPS37N50A-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFPS37N50A-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:446W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.579nF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:130mΩ@22A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    MCC Mosfet场效应管 MCACL110N08Y-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCACL110N08Y-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCACL110N08Y-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.29nF@40V

    连续漏极电流:110A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@55A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":874,"22+":13717}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3692

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:746pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF11N65A-BP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF11N65A-BP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJPF11N65A-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:31.3W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86252
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86252

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86252

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€89W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@75V

    连续漏极电流:5A€27A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86106
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86106

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86106

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:208pF@50V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:105mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8622
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8622

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8622

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€31W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@50V

    连续漏极电流:4.8A€16.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:56mΩ@10V,4.8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86252
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86252

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86252

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€89W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@75V

    连续漏极电流:5A€27A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86240
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86240

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86240

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.57nF@75V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86244 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86244 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86244

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:395pF@75V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:128mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
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