采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3984-ZK-E1-AY
功率：20W€1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1808GR-9JG-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1808GR-9JG-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
连续漏极电流：8.5A
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
输入电容：635pF@15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
栅极电荷：13nC@10V
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：62W
类型：1个N沟道
连续漏极电流：2A
阈值电压：5V@1mA
输入电容：250pF@25V
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1808GR-9JG-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3984-ZK-E1-AY
功率：20W€1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2303
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN030-60YS，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：686pF@30V
连续漏极电流：29A
类型：1个N沟道
导通电阻：24.7mΩ@10V，15A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
