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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：28.5mΩ@4.5V，15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：28.5mΩ@4.5V，15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：28.5mΩ@4.5V，15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10M
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10M
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10M
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10M
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10M
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：28.5mΩ@4.5V，15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10M
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：28.5mΩ@4.5V，15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
