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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：13897，"23+"：95}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@275μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：208nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：354A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2897，"22+"：123008，"23+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@275μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：208nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：354A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2897，"22+"：123008，"23+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@275μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：208nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：354A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：13897，"23+"：95}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@275μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：208nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：354A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS027N10MCLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W€3.1W
阈值电压：3V@38μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：7.4A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS027N10MCLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W€3.1W
阈值电压：3V@38μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：7.4A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：19500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-100YSFX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：198W
阈值电压：3.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.758nF@50V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
反向传输电容：17pF@50V
导通电阻：7.2mΩ@10V，25A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：19500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-100YSFX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：198W
阈值电压：3.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.758nF@50V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
反向传输电容：17pF@50V
导通电阻：7.2mΩ@10V，25A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2897，"22+"：123008，"23+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@275μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：208nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：354A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：222}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2000，"9999"：63}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9540-100A，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：158W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@5V
输入电容：3.072nF@25V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：13897，"23+"：95}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@275μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：208nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：354A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS027N10MCLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W€3.1W
阈值电压：3V@38μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：7.4A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS027N10MCLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W€3.1W
阈值电压：3V@38μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：7.4A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：13897，"23+"：95}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@275μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：208nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：354A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2897，"22+"：123008，"23+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@275μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：208nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：354A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS027N10MCLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W€3.1W
阈值电压：3V@38μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：7.4A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2897，"22+"：123008，"23+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@275μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：208nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：354A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：13897，"23+"：95}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@275μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：208nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：354A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2897，"22+"：123008，"23+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@275μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：208nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：354A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
