品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q
功率:132W€960mW
阈值电压:2.4V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.3nF@22.5V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4973}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E3R2-55C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:258nC@10V
输入电容:15.3nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E2R3-40C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
输入电容:15.1nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4000,"17+":15000,"9999":992}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E4R0-75C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:234nC@10V
输入电容:15.45nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q
功率:132W€960mW
阈值电压:2.4V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.3nF@22.5V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":222}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E2R3-40C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
输入电容:15.1nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":995,"9999":275}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK752R3-40E,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:293W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109.2nC@10V
输入电容:8.5nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q
功率:132W€960mW
阈值电压:2.4V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.3nF@22.5V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q
功率:132W€960mW
阈值电压:2.4V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.3nF@22.5V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E2R3-40C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
输入电容:15.1nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4973}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E3R2-55C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:258nC@10V
输入电容:15.3nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q
功率:132W€960mW
阈值电压:2.4V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.3nF@22.5V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4000,"17+":15000,"9999":992}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E4R0-75C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:234nC@10V
输入电容:15.45nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q
功率:132W€960mW
阈值电压:2.4V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.3nF@22.5V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q
功率:132W€960mW
阈值电压:2.4V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.3nF@22.5V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4973}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E3R2-55C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:258nC@10V
输入电容:15.3nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q
功率:132W€960mW
阈值电压:2.4V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.3nF@22.5V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5597,"22+":22484,"23+":22040}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA120N04S5N014AUMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:3.4V@60μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
输入电容:4.828nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5597,"22+":22484,"23+":22040}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA120N04S5N014AUMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:3.4V@60μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
输入电容:4.828nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5597,"22+":22484,"23+":22040}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA120N04S5N014AUMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:3.4V@60μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
输入电容:4.828nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q
功率:132W€960mW
阈值电压:2.4V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.3nF@22.5V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q
功率:132W€960mW
阈值电压:2.4V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.3nF@22.5V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4000,"17+":15000,"9999":992}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E4R0-75C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:234nC@10V
输入电容:15.45nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4973}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E3R2-55C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:258nC@10V
输入电容:15.3nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q
功率:132W€960mW
阈值电压:2.4V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.3nF@22.5V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":995,"9999":275}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK752R3-40E,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:293W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109.2nC@10V
输入电容:8.5nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: