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    ECCN: EAR99
    类型: 1个N沟道
    连续漏极电流: 120A
    当前匹配商品:40+
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q

    功率:132W€960mW

    阈值电压:2.4V@500μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.3nF@22.5V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E3R2-55C,127 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E3R2-55C,127 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4973}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6E3R2-55C,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:258nC@10V

    输入电容:15.3nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E2R3-40C,127 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E2R3-40C,127 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6E2R3-40C,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    输入电容:15.1nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E4R0-75C,127 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E4R0-75C,127 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4000,"17+":15000,"9999":992}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6E4R0-75C,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:234nC@10V

    输入电容:15.45nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q

    功率:132W€960mW

    阈值电压:2.4V@500μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.3nF@22.5V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订130个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订130个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":222}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP054N10

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13.28nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E2R3-40C,127 起订157个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E2R3-40C,127 起订157个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6E2R3-40C,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    输入电容:15.1nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK752R3-40E,127 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK752R3-40E,127 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":995,"9999":275}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK752R3-40E,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:293W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:109.2nC@10V

    输入电容:8.5nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q

    功率:132W€960mW

    阈值电压:2.4V@500μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.3nF@22.5V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q

    功率:132W€960mW

    阈值电压:2.4V@500μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.3nF@22.5V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E2R3-40C,127 起订300个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E2R3-40C,127 起订300个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6E2R3-40C,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    输入电容:15.1nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E3R2-55C,127 起订300个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E3R2-55C,127 起订300个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4973}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6E3R2-55C,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:258nC@10V

    输入电容:15.3nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP054N10

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13.28nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q

    功率:132W€960mW

    阈值电压:2.4V@500μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.3nF@22.5V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP054N10

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13.28nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP054N10

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13.28nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E4R0-75C,127 起订300个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E4R0-75C,127 起订300个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4000,"17+":15000,"9999":992}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6E4R0-75C,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:234nC@10V

    输入电容:15.45nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q

    功率:132W€960mW

    阈值电压:2.4V@500μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.3nF@22.5V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q

    功率:132W€960mW

    阈值电压:2.4V@500μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.3nF@22.5V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E3R2-55C,127 起订1000个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E3R2-55C,127 起订1000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4973}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6E3R2-55C,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:258nC@10V

    输入电容:15.3nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q

    功率:132W€960mW

    阈值电压:2.4V@500μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.3nF@22.5V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUA120N04S5N014AUMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUA120N04S5N014AUMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5597,"22+":22484,"23+":22040}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUA120N04S5N014AUMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.4V@60μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    输入电容:4.828nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUA120N04S5N014AUMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUA120N04S5N014AUMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5597,"22+":22484,"23+":22040}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUA120N04S5N014AUMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.4V@60μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    输入电容:4.828nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUA120N04S5N014AUMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUA120N04S5N014AUMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5597,"22+":22484,"23+":22040}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUA120N04S5N014AUMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.4V@60μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    输入电容:4.828nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q

    功率:132W€960mW

    阈值电压:2.4V@500μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.3nF@22.5V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q

    功率:132W€960mW

    阈值电压:2.4V@500μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.3nF@22.5V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E4R0-75C,127 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E4R0-75C,127 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4000,"17+":15000,"9999":992}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6E4R0-75C,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:234nC@10V

    输入电容:15.45nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E3R2-55C,127 起订145个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E3R2-55C,127 起订145个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4973}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6E3R2-55C,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:258nC@10V

    输入电容:15.3nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订5000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订5000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q

    功率:132W€960mW

    阈值电压:2.4V@500μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.3nF@22.5V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK752R3-40E,127 起订169个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK752R3-40E,127 起订169个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":995,"9999":275}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK752R3-40E,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:293W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:109.2nC@10V

    输入电容:8.5nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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