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    2A
    功率
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    ECCN: EAR99
    类型: 1个N沟道
    连续漏极电流: 2A
    当前匹配商品:30+
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    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订100个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订100个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP236N2001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:110mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8002ANJGTL

    功率:62W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订100个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订100个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP236N2001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:110mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订500个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订500个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP236N2001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:110mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8002ANJGTL

    功率:62W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订500个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订500个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP236N2001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:110mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8002ANJGTL

    功率:62W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":27098,"23+":4964,"24+":24985}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8002ANJGTL

    功率:62W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8002ANJGTL

    功率:62W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8002ANJGTL

    功率:62W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订11个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订11个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP236N2001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:110mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8002ANJGTL

    功率:62W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订11个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订11个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP236N2001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:110mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订7个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订7个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP236N2001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:110mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8002ANJGTL

    栅极电荷:13nC@10V

    导通电阻:4.3Ω@1A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62W

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:2A

    阈值电压:5V@1mA

    输入电容:250pF@25V

    漏源电压:800V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    阈值电压:1.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    功率:500mW

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订100个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订100个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP236N2001TR-G

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:4.1nC@6V

    连续漏极电流:2A

    输入电容:230pF@10V

    导通电阻:110mΩ@1A,4.5V

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8002ANJGTL

    功率:62W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订7个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订7个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP236N2001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:110mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订1000个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP236N2001TR-G 起订1000个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP236N2001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:110mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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