采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4080-ZK-E1-AY
功率：29W€1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@12V
输入电容：1.67nF@10V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060L
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，24A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060L
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，24A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：469}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060L
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，24A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4080-ZK-E1-AY
功率：29W€1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@12V
输入电容：1.67nF@10V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060L
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，24A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060L
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，24A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7227-100B，118
工作温度：-55℃~+185℃
功率：167W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.789nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：27mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7227-100B，118
工作温度：-55℃~+185℃
功率：167W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.789nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：27mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：469}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060L
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，24A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4080-ZK-E1-AY
功率：29W€1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@12V
输入电容：1.67nF@10V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.1V@200μA
连续漏极电流：48A
功率：830mW€69W
输入电容：1.975nF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.1V@200μA
连续漏极电流：48A
功率：830mW€69W
输入电容：1.975nF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.1V@200μA
连续漏极电流：48A
功率：830mW€69W
输入电容：1.975nF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.1V@200μA
连续漏极电流：48A
功率：830mW€69W
输入电容：1.975nF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4080-ZK-E1-AY
功率：29W€1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@12V
输入电容：1.67nF@10V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
