采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：417，"22+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：29W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA14N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.205nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA14N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.205nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：417，"22+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：29W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：417，"22+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：29W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2709AGR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@5V
输入电容：1.27nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA14N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.205nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA14N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.205nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2709AGR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@5V
输入电容：1.27nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：417，"22+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：29W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4406A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：417，"22+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：29W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2709AGR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@5V
输入电容：1.27nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4406A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
