品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP165N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:142W
阈值电压:4V@1.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.808nF@400V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:132mΩ@10V,9.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
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类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
输入电容:1.412nF@400V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
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类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP165N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:142W
阈值电压:4V@1.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.808nF@400V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:132mΩ@10V,9.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
输入电容:1.412nF@400V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMP210N65EC_T0_00601
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功率:150W
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导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
输入电容:1.412nF@400V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存: