采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14621}
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U041AAFRATL
功率：29W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U041AAFRATL
功率：29W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U041AAFRATL
功率：29W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14621}
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3427-TL-E
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4V
包装方式：散装
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U041AAFRATL
功率：29W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3427-TL-E
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4V
包装方式：散装
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14621}
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U041AAFRATL
功率：29W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
输入电容：220pF@25V
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
功率：58W
漏源电压：650V
阈值电压：4V@130μA
栅极电荷：15nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
输入电容：220pF@25V
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
功率：58W
漏源电压：650V
阈值电压：4V@130μA
栅极电荷：15nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
功率：800mW
类型：1个N沟道
输入电容：266pF@50V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U041AAFRATL
功率：29W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCB60XNZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：7W€480mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：241pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
