品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":27500,"20+":17500,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2971}
包装规格(MPQ):360psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3634-AZ
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":27500,"20+":17500,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":8287}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3634-Z-AZ
功率:20W€1W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2971}
包装规格(MPQ):360psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3634-AZ
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2463T1Q-E1-AX
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4V
输入电容:680pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:20mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2463T1Q-E1-AX
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4V
输入电容:680pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:20mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2463T1Q-E1-AX
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4V
输入电容:680pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:20mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":27500,"20+":17500,"MI+":500}
规格型号(MPN):IPAN60R600P7SXKSA1
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:363pF@400V
类型:1个N沟道
阈值电压:4V@80μA
工作温度:-40℃~+150℃
漏源电压:650V
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
功率:21W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
输入电容:460pF@25V
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":2971}
包装规格(MPQ):360psc
规格型号(MPN):2SK3634-AZ
栅极电荷:9nC@10V
类型:1个N沟道
阈值电压:4.5V@1mA
导通电阻:600mΩ@3A,10V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:270pF@10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":8287}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3634-Z-AZ
功率:20W€1W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):360psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3634-AZ
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2463T1Q-E1-AX
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4V
输入电容:680pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:20mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2971}
包装规格(MPQ):360psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3634-AZ
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3634-Z-AZ
功率:20W€1W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2260
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:426pF@30V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:44mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2971}
包装规格(MPQ):360psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3634-AZ
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4850EY-T1-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.7W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4850EY-T1-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.7W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4850EY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
栅极电荷:27nC@10V
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:22mΩ@6A,10V
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存: