采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP70N04MUG-S18-AY
功率：115W€1.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：4.9nF@25V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"2L+"：21000，"2M+"：66000，"3A+"：96000，"3B+"：51000，"3C+"：45000，"3D+"：37509，"3E+"：84000，"3F+"：57000，"3H+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK03C0DPA-00#J53
功率：65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@4.5V
输入电容：11nF@10V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"2L+"：21000，"2M+"：66000，"3A+"：96000，"3B+"：51000，"3C+"：45000，"3D+"：37509，"3E+"：84000，"3F+"：57000，"3H+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK03C0DPA-00#J53
功率：65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@4.5V
输入电容：11nF@10V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"2L+"：21000，"2M+"：66000，"3A+"：96000，"3B+"：51000，"3C+"：45000，"3D+"：37509，"3E+"：84000，"3F+"：57000，"3H+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK03C0DPA-00#J53
功率：65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@4.5V
输入电容：11nF@10V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"2L+"：21000，"2M+"：66000，"3A+"：96000，"3B+"：51000，"3C+"：45000，"3D+"：37509，"3E+"：84000，"3F+"：57000，"3H+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK03C0DPA-00#J53
功率：65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@4.5V
输入电容：11nF@10V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"7N+"：288}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FS70UMJ-06F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：8.5nF@10V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
阈值电压：3.5V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FS70UMJ-06F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：8.5nF@10V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y6R5-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：64W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.036nF@25V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP70N04MUG-S18-AY
功率：115W€1.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：4.9nF@25V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"7N+"：288}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FS70UMJ-06F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：8.5nF@10V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"7N+"：288}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FS70UMJ-06F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：8.5nF@10V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"7N+"：288}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FS70UMJ-06F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：8.5nF@10V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP70N04MUG-S18-AY
功率：115W€1.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：4.9nF@25V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP70N04MUG-S18-AY
功率：115W€1.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：4.9nF@25V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP70N04MUG-S18-AY
功率：115W€1.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：4.9nF@25V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"7N+"：288}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FS70UMJ-06F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：8.5nF@10V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1004UFV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.385nF@6V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
阈值电压：3.5V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1004UFV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.385nF@6V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
阈值电压：3.5V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
阈值电压：3.5V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
阈值电压：3.5V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：70A
阈值电压：3.5V@700μA
漏源电压：80V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：70A
阈值电压：3.5V@700μA
漏源电压：80V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R3-40YS，115
输入电容：1.215nF@20V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
连续漏极电流：70A
导通电阻：8.6mΩ@10V，15A
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：20nC@10V
阈值电压：4V@1mA
功率：74W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
