品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":27098,"23+":4964,"24+":24985}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
栅极电荷:6.3nC@4.5V
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2236
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:46mΩ@10V,2.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@4.5V,1.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2236
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:46mΩ@10V,2.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2236
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:46mΩ@10V,2.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS355AN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@10V,1.9A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2236
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:46mΩ@10V,2.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: