品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"1E+":20000,"1F+":20000,"1G+":27500,"1H+":7500,"1J+":10000,"1K+":27500}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0349DPA-01#J0B
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
输入电容:3.85nF@10V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@22.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"1E+":20000,"1F+":20000,"1G+":27500,"1H+":7500,"1J+":10000,"1K+":27500}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0349DPA-01#J0B
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
输入电容:3.85nF@10V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@22.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":3945,"13+":144192,"22+":555}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N25TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":3945,"13+":144192,"22+":555}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N25TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
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库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"1E+":20000,"1F+":20000,"1G+":27500,"1H+":7500,"1J+":10000,"1K+":27500}
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规格型号(MPN):RJK0349DPA-01#J0B
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
输入电容:3.85nF@10V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@22.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"1E+":20000,"1F+":20000,"1G+":27500,"1H+":7500,"1J+":10000,"1K+":27500}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0349DPA-01#J0B
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
输入电容:3.85nF@10V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@22.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":3945,"13+":144192,"22+":555}
规格型号(MPN):FDD6N25TM
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:50W
漏源电压:250V
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
连续漏极电流:4.4A
输入电容:250pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: