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    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    阈值电压: 1.6V@250µA
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:100+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@260mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138 RFG

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    功率:357mW

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138 RFG

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138 RFG

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    功率:357mW

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    - +
    起购:15000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138 RFG

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    功率:357mW

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    库存:

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    起购:13
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357mW

    阈值电压:1.6V@250µA

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138 RFG

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    功率:357mW

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    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    漏源电压:50V

    类型:N沟道

    栅极电荷:2nC@10V

    输入电容:32pF@25V

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:357mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138 RFG

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    类型:N沟道

    栅极电荷:2nC@10V

    输入电容:32pF@25V

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:357mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138 RFG

    导通电阻:2.5Ω@260mA,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:260mA

    漏源电压:50V

    类型:N沟道

    栅极电荷:2nC@10V

    输入电容:32pF@25V

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:357mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKVL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKVL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

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    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@350mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

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    输入电容:6110pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":7495,"9999":192}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:390
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD17306Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17306Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17306Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@22A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6110pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSL-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSL-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSL-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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