采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8nC@10V
功率：2.1W
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8nC@10V
功率：2.1W
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR680ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4415pF@40V
连续漏极电流：30.7A€125A
类型：N沟道
导通电阻：2.88mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS126DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1402pF@40V
连续漏极电流：12A€45.1A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5810，"21+"：2925，"22+"：6112，"24+"：3000，"MI+"：8521}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS126DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1402pF@40V
连续漏极电流：12A€45.1A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6294
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€57W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：17A€52A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6294
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€57W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：17A€52A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR698DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€23W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@2.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR698DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€23W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@2.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR698DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€23W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@2.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR698DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€23W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@2.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
