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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C01NWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C01NWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS4C01NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.84W€161W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:139nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10144pF@15V

    连续漏极电流:49A€319A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3015pF@25V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C25NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€14.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:10.1A€22.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C10NWFTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C10NWFTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:993pF@15V

    连续漏极电流:15.3A€47A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD040N03LGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD040N03LGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD040N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD031N03LGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD031N03LGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD031N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C01NWFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C01NWFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS4C01NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.84W€161W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:139nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10144pF@15V

    连续漏极电流:49A€319A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3015pF@25V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS105N03LGAKMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS105N03LGAKMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":27000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPS105N03LGAKMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1924
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N03LGXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N03LGXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":15,"19+":250,"20+":500}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3200pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:702
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB147N03LGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB147N03LGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB147N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1137
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NWFTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NWFTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C05NWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:22A€102A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4909N-1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4909N-1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":6150}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4909N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.37W€29.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1314pF@15V

    连续漏极电流:8.8A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C10NWFTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C10NWFTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:993pF@15V

    连续漏极电流:15.3A€47A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C302NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C302NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS4C302NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€115W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5780pF@15V

    连续漏极电流:43A€241A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5550,"22+":2500,"23+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1226
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD090N03LGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD090N03LGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD090N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NWFTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NWFTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C05NWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:22A€102A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C05NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C05NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS4C05NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.61W€79W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1972pF@15V

    连续漏极电流:24.7A€116A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C25NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€14.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:10.1A€22.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6416ANLT4G-VF01
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6416ANLT4G-VF01

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6416ANLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:74mΩ@19A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C25NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€14.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:10.1A€22.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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