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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS50DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS50DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@20V

    连续漏极电流:29.7A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.83mΩ@15A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:922
    AOS Mosfet场效应管 AONS32302
    AOS Mosfet场效应管 AONS32302

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS32302

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:119W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6060pF@15V

    连续漏极电流:56A€220A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18510Q5BT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18510Q5BT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18510Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11400pF@20V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.96mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR450DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR450DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR450DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€48W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5920pF@20V

    连续漏极电流:36A€113A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5AT
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3690pF@10V

    连续漏极电流:17.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5AT
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18534Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR450DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR450DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR450DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€48W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5920pF@20V

    连续漏极电流:36A€113A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3690pF@10V

    连续漏极电流:17.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AON6590A
    AOS Mosfet场效应管 AON6590A

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6590A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€208W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8320pF@20V

    连续漏极电流:67A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.99mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR150DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR150DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR150DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€65.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@20V

    连续漏极电流:30.9A€110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.71mΩ@15A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT7G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:22
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:80pF@40V

    连续漏极电流:410mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@40mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:80pF@40V

    连续漏极电流:410mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@40mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:80pF@40V

    连续漏极电流:410mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@40mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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