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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:966pF@20V

    连续漏极电流:10A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1269pF@20V

    连续漏极电流:12A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM070NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM070NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM070NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2151pF@20V

    连续漏极电流:15A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM070NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM070NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM070NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2151pF@20V

    连续漏极电流:15A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1269pF@20V

    连续漏极电流:12A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:966pF@20V

    连续漏极电流:10A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1269pF@20V

    连续漏极电流:12A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4444P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:14A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4444P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:14A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:966pF@20V

    连续漏极电流:10A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

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    连续漏极电流:12A€54A

    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM070NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM070NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM070NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€83W

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    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:15A€75A

    类型:N沟道

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    漏源电压:40V

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    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1269pF@20V

    连续漏极电流:12A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM070NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM070NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM070NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2151pF@20V

    连续漏极电流:15A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1269pF@20V

    连续漏极电流:12A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:966pF@20V

    连续漏极电流:10A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4444P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:14A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4444P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:14A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:966pF@20V

    连续漏极电流:10A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1269pF@20V

    连续漏极电流:12A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM070NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM070NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM070NB04LCR RLG

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:15A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€83W

    ECCN:EAR99

    输入电容:2151pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:3.1W€68W

    栅极电荷:23nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1269pF@20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:12A€54A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1031pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ402E-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ402E-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ402E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13500pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ402E-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ402E-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ402E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13500pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:678pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:3
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