采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC80N04S6N036ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3V@18µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.68mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD256
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1165pF@75V
连续漏极电流：3A€19A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：417681，"24+"：19638}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC80N04S6N036ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3V@18µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.68mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y53-100B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1467pF@25V
连续漏极电流：24.8A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHP23NQ11T，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@13A，10V
漏源电压：110V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2365，"22+"：2744，"23+"：2291}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：51W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1270pF@12V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC80N04S6N036ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3V@18µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.68mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"08+"：1600}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB18N06G
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC80N04S6N036ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3V@18µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.68mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2365，"22+"：2744，"23+"：2291}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：51W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1270pF@12V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC80N04S6N036ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3V@18µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.68mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD256
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1165pF@75V
连续漏极电流：3A€19A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：51W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1270pF@12V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：245}
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHP23NQ11T，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@13A，10V
漏源电压：110V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
