首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    ECCN
    类型
    栅极电荷
    行业应用
    工作温度
    包装方式
    漏源电压
    连续漏极电流
    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    栅极电荷: 40nC@10V
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:70+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC90N04S5L3R3ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC90N04S5L3R3ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4,"22+":1050,"23+":4458}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC90N04S5L3R3ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2145pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:914
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S4L12ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S4L12ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S4L12ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2890pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6416ANLT4G-VF01
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6416ANLT4G-VF01

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6416ANLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:74mΩ@19A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 RFD14N05LSM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 RFD14N05LSM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@14A,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2025
    onsemi Mosfet场效应管 FDP085N10A-F102
    onsemi Mosfet场效应管 FDP085N10A-F102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP085N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2695pF@50V

    连续漏极电流:96A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@96A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 RFD14N05LSM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 RFD14N05LSM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@14A,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1050
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6414ANT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6414ANT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6414ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6414ANT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6414ANT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6414ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC90N04S5L3R3ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC90N04S5L3R3ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC90N04S5L3R3ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2145pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:74mΩ@19A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC90N04S5L3R3ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC90N04S5L3R3ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC90N04S5L3R3ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2145pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:74mΩ@19A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S4L12ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S4L12ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S4L12ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2890pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6414ANT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6414ANT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6414ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC90N04S5L3R3ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC90N04S5L3R3ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC90N04S5L3R3ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2145pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC90N04S5L3R3ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC90N04S5L3R3ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4,"22+":1050,"23+":4458}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC90N04S5L3R3ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2145pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6414AN-1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6414AN-1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":900,"12+":4200,"13+":9224,"9999":1476}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6414AN-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:74mΩ@19A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6416ANLT4G-VF01
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6416ANLT4G-VF01

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6416ANLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:74mΩ@19A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6414ANT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6414ANT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6414ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S4L12ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S4L12ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S4L12ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2890pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:74mΩ@19A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S4L12ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S4L12ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"23+":29429,"24+":3173,"MI+":8502}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S4L12ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2890pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧