品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2324
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2324
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
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输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2324
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2324
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
栅极电荷:5.3nC@10V
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:2.3A
输入电容:205pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
栅极电荷:5.3nC@10V
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:2.3A
输入电容:205pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
栅极电荷:5.3nC@10V
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:2.3A
输入电容:205pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_GE3
栅极电荷:5.3nC@10V
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:2.3A
输入电容:205pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2324
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
功率:1.2W
连续漏极电流:2A
输入电容:330pF@50V
导通电阻:280mΩ@2A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: