采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S405ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2960pF@25V
连续漏极电流：86A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@86A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S405ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2960pF@25V
连续漏极电流：86A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@86A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S405ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2960pF@25V
连续漏极电流：86A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@86A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA083N10N5XKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB011N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€136.4W
阈值电压：4.5V@223µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2810pF@75V
连续漏极电流：12.5A€75.4A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@41A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S405ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2960pF@25V
连续漏极电流：86A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@86A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB011N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€136.4W
阈值电压：4.5V@223µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2810pF@75V
连续漏极电流：12.5A€75.4A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@41A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA083N10N5XKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB011N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€136.4W
阈值电压：4.5V@223µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2810pF@75V
连续漏极电流：12.5A€75.4A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@41A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：730}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB011N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€136.4W
阈值电压：4.5V@223µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2810pF@75V
连续漏极电流：12.5A€75.4A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@41A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S405ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2960pF@25V
连续漏极电流：86A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@86A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB011N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€136.4W
阈值电压：4.5V@223µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2810pF@75V
连续漏极电流：12.5A€75.4A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@41A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S405ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2960pF@25V
连续漏极电流：86A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@86A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4550}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7611-55B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2604pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1041，"23+"：1600，"24+"：712}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S405ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2960pF@25V
连续漏极电流：86A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@86A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB011N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€136.4W
阈值电压：4.5V@223µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2810pF@75V
连续漏极电流：12.5A€75.4A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@41A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB011N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€136.4W
阈值电压：4.5V@223µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2810pF@75V
连续漏极电流：12.5A€75.4A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@41A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
