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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1921pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 30N03A
    UMW Mosfet场效应管 30N03A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 100N03A 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 100N03A 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):100N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 100N03A 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 100N03A 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):100N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 100N03A
    UMW Mosfet场效应管 100N03A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):100N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    UMW Mosfet场效应管 100N03A
    UMW Mosfet场效应管 100N03A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):100N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1921pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1921pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 30N03A
    UMW Mosfet场效应管 30N03A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 30N03A
    UMW Mosfet场效应管 30N03A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 100N03A 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 100N03A 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):100N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    UMW Mosfet场效应管 30N03A
    UMW Mosfet场效应管 30N03A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 100N03A
    UMW Mosfet场效应管 100N03A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):100N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 100N03A
    UMW Mosfet场效应管 100N03A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):100N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 100N03A
    UMW Mosfet场效应管 100N03A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):100N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1921pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 100N03A 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 100N03A 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):100N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 100N03A
    UMW Mosfet场效应管 100N03A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):100N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 100N03A 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 100N03A 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):100N03A

    输入电容:1963pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:105W

    连续漏极电流:90A

    导通电阻:4.9mΩ@30A,10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86320

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@40V

    连续漏极电流:10.5A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF634PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF634PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF634PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:8.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86140
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86140

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86140

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2580pF@50V

    连续漏极电流:11.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@11.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8672S
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8672S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8672S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:370
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA74DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA74DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA74DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€46.2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:24A€81.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R110CFD7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R110CFD7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP65R110CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4.5V@480µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1942pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH410DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH410DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH410DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@10V

    连续漏极电流:22A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7451TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7451TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7451TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA06N80C3XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA06N80C3XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA06N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:3.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:785pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R110CFD7ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R110CFD7ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R110CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4.5V@480µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1942pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
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