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    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    栅极电荷: 19nC@10V
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N62ZG
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N62ZG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7050,"9999":284}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N62ZG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:535pF@25V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:620V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1188
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€62W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@50V

    连续漏极电流:8A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8015L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€24W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:7A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":6508,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8015L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€24W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:7A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:815
    onsemi Mosfet场效应管 STTFS015N10MCL
    onsemi Mosfet场效应管 STTFS015N10MCL

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STTFS015N10MCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€45W

    阈值电压:3V@77µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1338pF@50V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.9mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2238}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5661N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L-L701
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L-L701

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8015L-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€24W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:7A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV55ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:478mW€8.36W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5661N-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18504Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1656pF@20V

    连续漏极电流:15A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5661N-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18504Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1656pF@20V

    连续漏极电流:15A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€62W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@50V

    连续漏极电流:8A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD86326
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD86326

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":7000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86326

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€62W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:1035pF@50V

    连续漏极电流:8A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":6508,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8015L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€24W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:7A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV55ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:478mW€8.36W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5661N-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€62W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@50V

    连续漏极电流:8A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L-L701
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L-L701

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8015L-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€24W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:7A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18504Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1656pF@20V

    连续漏极电流:15A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5661N-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€62W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@50V

    连续漏极电流:8A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU420PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU420PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU420PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L-L701
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L-L701

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8015L-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€24W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:7A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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