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    工作温度
    漏源电压
    60V
    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    栅极电荷: 17nC@10V
    工作温度: -55℃~175℃
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:20+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:10.6A€37.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:10.6A€37.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDD26AN06A0-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDD26AN06A0-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1678}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD26AN06A0-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:7A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@36A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.8A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.8A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.8A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C648NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C648NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€76W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@30V

    连续漏极电流:22A€91A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.8A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.8A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.8A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C648NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C648NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€76W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@30V

    连续漏极电流:22A€91A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD400N06NGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD400N06NGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1464,"MI+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD400N06NGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@28µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@27A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1192
    onsemi Mosfet场效应管 FDD26AN06A0-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDD26AN06A0-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1678}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD26AN06A0-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:7A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@36A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:151
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:10.6A€37.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDD26AN06A0-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDD26AN06A0-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1678}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD26AN06A0-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:7A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@36A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:10.6A€37.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:10.6A€37.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:10.6A€37.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.8A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C648NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C648NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€76W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@30V

    连续漏极电流:22A€91A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.8A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C648NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C648NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€76W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@30V

    连续漏极电流:22A€91A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C648NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C648NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€76W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@30V

    连续漏极电流:22A€91A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C648NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C648NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€76W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@30V

    连续漏极电流:22A€91A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    栅极电荷:17nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€37.5W

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:9.8A€37A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    栅极电荷:17nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€37.5W

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:9.8A€37A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD26AN06A0-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDD26AN06A0-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":1678}

    规格型号(MPN):FDD26AN06A0-F085

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:26mΩ@36A,10V

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:800pF@25V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:7A€36A

    ECCN:EAR99

    功率:75W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C648NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C648NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:4.1mΩ@45A,10V

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.1V@250µA

    连续漏极电流:22A€91A

    输入电容:2900pF@30V

    功率:4.4W€76W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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