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    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    栅极电荷: 60nC@10V
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:70+
    商品信息
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    操作
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA80N10T
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA80N10T

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA80N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3040pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06-1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06-1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":3175}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD32N06-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€93.75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1336
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8896
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8896

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":10958,"05+":127926,"06+":234436,"08+":11,"10+":504,"11+":6007,"12+":8548,"13+":363,"15+":117,"MI+":462223}

    包装规格(MPQ):692psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:833
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":647}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S3H4ATMA1 起订596个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S3H4ATMA1 起订596个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":12000,"18+":200,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S3H4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@65µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:596
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA80N10T
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA80N10T

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA80N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3040pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1456,"22+":2471,"MI+":709}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP77N06S212AKSA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP77N06S212AKSA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP77N06S212AKSA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:158W

    阈值电压:4V@93µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1770pF@25V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@38A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S4L04ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S4L04ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5000,"MI+":2463}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S3H4ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S3H4ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":12000,"18+":200,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S3H4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@65µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S3H4ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S3H4ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":8303}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S3H4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@65µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB77N06S212ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB77N06S212ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":23950,"MI+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB77N06S212ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:158W

    阈值电压:4V@93µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@25V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@38A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-G
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896-G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:150
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-G
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2114}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896-G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-G
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896-G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2114}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896-G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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