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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2550}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4856N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.33W€60W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2241pF@12V
连续漏极电流：13.3A€89A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
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栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
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功率：1.5W
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输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
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功率：1.5W
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类型：N沟道
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漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
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功率：1.5W
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2250}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4856N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.33W€60W
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栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2241pF@12V
连续漏极电流：13.3A€89A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
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类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
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类型：N沟道
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
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连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
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功率：1.5W
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
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栅极电荷：27nC@4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
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栅极电荷：27nC@4.5V
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输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2812}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4856NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.33W€60W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2241pF@12V
连续漏极电流：13.3A€89A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
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连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
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连续漏极电流：12.5A
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导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
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栅极电荷：27nC@4.5V
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连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
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栅极电荷：27nC@4.5V
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连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：1.5W
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类型：N沟道
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导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流：12.5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：27nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：1.5W
工作温度：-50℃~150℃
栅极电荷：27nC@4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：11.3A
输入电容：2610pF@15V
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流：12.5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：27nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
