采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR578EP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.5W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@75V
连续漏极电流：17.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP147N12N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：14.7mΩ@56A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R3-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2754pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R3-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2754pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@40V
连续漏极电流：14A€68A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：14603，"15+"：5155}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI147N12N3GAKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：14.7mΩ@56A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3490，"23+"：805}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60N10S4L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：2.1V@46µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3170pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB144N12N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@56A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4288，"23+"：15349，"24+"：4582}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC028N06NSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€100W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3375pF@30V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：14603，"15+"：5155}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI147N12N3GAKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：14.7mΩ@56A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3367pF@20V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3367pF@20V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4288，"23+"：15349，"24+"：4582}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC028N06NSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€100W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3375pF@30V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP147N12N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：14.7mΩ@56A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB144N12N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@56A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60N10S4L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：2.1V@46µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3170pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB144N12N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@56A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB144N12N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@56A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R3-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2754pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：14603，"15+"：5155}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI147N12N3GAKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：14.7mΩ@56A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB144N12N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@56A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB144N12N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@56A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60N10S4L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：2.1V@46µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3170pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R3-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2754pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB144N12N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@56A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR578EP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.5W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@75V
连续漏极电流：17.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR578EP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.5W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@75V
连续漏极电流：17.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：25，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC028N06NSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€100W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3375pF@30V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：25，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC028N06NSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€100W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3375pF@30V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR578EP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.5W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@75V
连续漏极电流：17.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
