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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2599，"22+"：1454，"23+"：1866，"MI+"：2919}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N03S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€34.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.7A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.7A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.7A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€34.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.7A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2599，"22+"：1454，"23+"：1866，"MI+"：2919}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N03S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS1D7N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€87W
阈值电压：2.2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@15V
连续漏极电流：35A€170A
类型：N沟道
导通电阻：1.74mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.7A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.7A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR186LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.8A€80.3A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：260，"22+"：5，"23+"：3500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP16CN10NGXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@50V
连续漏极电流：53A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@53A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€34.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP33N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR186LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.8A€80.3A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR186LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.8A€80.3A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR186LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.8A€80.3A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS1D7N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€87W
阈值电压：2.2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@15V
连续漏极电流：35A€170A
类型：N沟道
导通电阻：1.74mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€34.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€34.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
