销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:482pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":530700,"15+":180000,"21+":3000,"9999":517}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3477-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0702N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:200pF@20V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@500mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3157NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3157NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:482pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5846,"17+":68000,"18+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3477-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:872pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:872pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":530700,"15+":180000,"21+":3000,"9999":517}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3477-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3157NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K62TU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:177pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:872pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUR040N02TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:482pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUR040N02TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: