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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2974，"10+"：202，"12+"：199，"13+"：564，"14+"：63445，"16+"：7500，"18+"：39000，"19+"：22914，"21+"：27500，"22+"：3872}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：44600，"07+"：75，"08+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：22500，"11+"：517500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4865NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€33.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@12V
连续漏极电流：8.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：19425}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N02R-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.25W€58W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：8.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-25MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2432pF@12.5V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：3855，"05+"：168260，"06+"：527497，"08+"：7445，"09+"：75000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：20，"06+"：2175，"9999"：140，"MI+"：2206}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R-001
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2600，"10+"：22000，"MI+"：1060}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2925}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4855N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.35W€66.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32.7nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2950pF@12V
连续漏极电流：14A€98A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：72}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHD108NQ03LT，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1375pF@12V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD03N03LA G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：379064，"07+"：16200，"08+"：2662，"09+"：4200}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD78N03-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€64W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@12V
连续漏极电流：11.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@78A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：4950}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4854N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.43W€93.75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49.2nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4600pF@12V
连续漏极电流：15.7A€128A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD03N03LA G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2550}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4856N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.33W€60W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2241pF@12V
连续漏极电流：13.3A€89A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：3540}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD40N03R-001
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.78nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：584pF@20V
连续漏极电流：7.8A€32A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5000，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHD97NQ03LT，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@12V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"08+"：2250}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD65N03R
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：9.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：355000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：8591}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03RG
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1500，"10+"：45825，"11+"：195900}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1800}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4854N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.43W€93.75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49.2nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4600pF@12V
连续漏极电流：15.7A€128A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：75，"13+"：750，"14+"：110416，"18+"：5425，"24+"：4875}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：1080，"11+"：55889}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：4408}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDH6N03LAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1500，"10+"：45825，"11+"：195900}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD03N03LA G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
