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    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q5AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q5AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17581Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:24A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q3AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q3AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17581Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€63W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17556Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17556Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17556Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€191W

    阈值电压:1.65V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7020pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q5A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q5A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€36W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17506Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q5AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q5AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17581Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:24A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17559Q5 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17559Q5 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17559Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€96W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9200pF@15V

    连续漏极电流:40A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17501Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2630pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17570Q5B 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17570Q5B 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:121nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13600pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.69mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17307Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17307Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17307Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@11A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订390个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订390个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":7495,"9999":192}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17302Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17302Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17302Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:16A€87A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@14A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17505Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17556Q5B 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17556Q5B 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17556Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€191W

    阈值电压:1.65V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7020pF@15V

    连续漏极电流:34A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17312Q5 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17312Q5 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17312Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5240pF@15V

    连续漏极电流:38A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@35A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17570Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17570Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:121nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13600pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.69mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17301Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17301Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17301Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.55V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3480pF@15V

    连续漏极电流:28A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17505Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17575Q3T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17575Q3T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17575Q3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€108W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4420pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q3A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q3A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17552Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:15A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订5000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订5000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q3A 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q3A 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17581Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€63W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17506Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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