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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC16DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:10.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@125V

    连续漏极电流:3.4A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10110}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10110}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4434DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10110}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    Microchip Mosfet场效应管 DN2625K4-G
    Microchip Mosfet场效应管 DN2625K4-G

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2625K4-G

    工作温度:-55℃~150℃

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.04nC@1.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@1A,0V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ42DN25NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ42DN25NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ42DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:425mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Microchip Mosfet场效应管 TN2425N8-G
    Microchip Mosfet场效应管 TN2425N8-G

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2425N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:480mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS139H6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS139H6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS139H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1V@56µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:14Ω@100µA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR692DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR692DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR692DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1405pF@125V

    连续漏极电流:24.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@10A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ16DN25NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ16DN25NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7090,"23+":12265,"24+":11750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ16DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:10.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC16DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:10.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4434DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@125V

    连续漏极电流:3.4A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP126,135 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP126,135 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP126,135

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@25V

    连续漏极电流:375mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@300mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7190ADP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7190ADP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7190ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@100V

    连续漏极电流:4.3A€14.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4525GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4525GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:72pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP126,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP126,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP126,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@25V

    连续漏极电流:375mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@300mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Microchip Mosfet场效应管 DN2625K4-G
    Microchip Mosfet场效应管 DN2625K4-G

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2625K4-G

    工作温度:-55℃~150℃

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.04nC@1.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@1A,0V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ16DN25NS3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ16DN25NS3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ16DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:10.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP126,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP126,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP126,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@25V

    连续漏极电流:375mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@300mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR214TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR214TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR214TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL214TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL214TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL214TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:790mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@470mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4525ZTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4525ZTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4525ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:72pF@25V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4525E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4525E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4525E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:72pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR214TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR214TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR214TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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