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    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    漏源电压: 600V
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:2000+
    商品信息
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

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    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

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    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

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    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G

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    功率:329W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

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    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@11.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

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    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    类型:N沟道

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    库存:

    - +
    起购:25
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329W

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    类型:N沟道

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    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NC1R5CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NC1R5CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

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    - +
    起购:75
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

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    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

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    漏源电压:600V

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    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

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    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

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    类型:N沟道

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    漏源电压:600V

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    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

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    栅极电荷:19.4nC@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

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    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

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    类型:N沟道

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    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:525
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

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    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

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    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

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    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:150
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:795pF@100V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:9.5A

    漏源电压:600V

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

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    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G

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    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@11.7A,10V

    功率:329W

    包装方式:管件

    栅极电荷:62nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    连续漏极电流:38A

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R028G7XTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R028G7XTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R028G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:391W

    阈值电压:4V@1.44mA

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    栅极电荷:123nC@10V

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    输入电容:4820pF@400V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@28.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180C7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180C7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R180C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB9N60APBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB9N60APBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB9N60APBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB21N60EF-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB21N60EF-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB21N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2030pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:176mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R075CFD7XTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R075CFD7XTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R075CFD7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:188W

    阈值电压:4.5V@570µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2103pF@400V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R022S7XTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R022S7XTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R022S7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:4.5V@1.44mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5639pF@300V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@23A,12V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R165CPXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R165CPXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R165CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:3.5V@790µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC40PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC40PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPC40PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R102G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:141W

    阈值电压:4V@390µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@400V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:143
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG70N60AEF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG70N60AEF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG70N60AEF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:410nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5348pF@100V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@35A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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