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    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 17A
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:100+
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:4V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:293pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:4V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:293pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP17N25S3100AKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP17N25S3100AKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":0,"21+":0,"24+":10000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP17N25S3100AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y59-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y59-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":180,"23+":49500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y59-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:494pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL160N120SC1
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL160N120SC1

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:119W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:120
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP17N25S3100AKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP17N25S3100AKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":0,"21+":0,"24+":10000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP17N25S3100AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:252
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M53-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M53-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M53-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:683pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6416ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:81mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP17N25S3100AKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP17N25S3100AKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":0,"21+":0,"24+":10000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP17N25S3100AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP17N25S3100AKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP17N25S3100AKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":0,"21+":0,"24+":10000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP17N25S3100AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C08NTWG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C08NTWG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1113pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP17N25S3100AKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP17N25S3100AKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":0,"21+":0,"24+":10000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP17N25S3100AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3410TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3410TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3410TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI540GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI540GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI540GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6416ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:81mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN069-100YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN069-100YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN069-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:645pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:72.4mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:4V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:293pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4019PBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4019PBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB4019PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:4.9V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M53-60EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M53-60EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M53-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:683pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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