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    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 2.5A
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3460_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3460_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3460_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001 起订8个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001 起订8个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3460_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3460_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3460_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3460_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF4156NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:427pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ASPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ASPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820ASPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@500V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@800mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@500V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@800mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL716SNH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL716SNH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":37200,"18+":1220}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL716SNH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.8V@218µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2778
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:427pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS80R2K4P7AKMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS80R2K4P7AKMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":53945}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPS80R2K4P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:150pF@500V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@800mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1020
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:427pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R2K4P7AKMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R2K4P7AKMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":4500,"19+":10600,"9999":1339}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU80R2K4P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:150pF@500V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@800mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1045
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R2K4P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R2K4P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R2K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.3W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@500V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@800mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD14N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€20.8W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@20V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R2K4P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R2K4P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R2K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.3W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@500V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@800mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ASPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ASPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820ASPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD14N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€20.8W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@20V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD14N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€20.8W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@20V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R2K4P7ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R2K4P7ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R2K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.3W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@500V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@800mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@500V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@800mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3446T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3446T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3446T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@500V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@800mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF4156NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:427pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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