品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH600UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV450ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:323mW€554mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:101pF@30V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY08N50D2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@5V
包装方式:管件
输入电容:312pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:4.6Ω@400mA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY08N50D2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@5V
包装方式:管件
输入电容:312pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:4.6Ω@400mA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K62TU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:177pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH600UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K56MFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH600UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K62TU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:177pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH600UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH600UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH600UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K56MFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K56MFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K56MFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH600UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY08N50D2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@5V
包装方式:管件
输入电容:312pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:4.6Ω@400mA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD113PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@800mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":42000,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPS01N60C3
工作温度:-55℃~150℃
功率:11W
阈值电压:3.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY08N50D2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@5V
包装方式:管件
输入电容:312pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:4.6Ω@400mA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":118859,"16+":15,"18+":34425,"19+":10837,"9999":375,"MI+":15420}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPU01N60C3BKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:11W
阈值电压:3.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":118859,"16+":15,"18+":34425,"19+":10837,"9999":375,"MI+":15420}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPU01N60C3BKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:11W
阈值电压:3.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":8775,"9999":1125}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDDL01N60Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:92pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":22500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDDL01N60ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:92pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":118859,"16+":15,"18+":34425,"19+":10837,"9999":375,"MI+":15420}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPU01N60C3BKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:11W
阈值电压:3.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV450ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:323mW€554mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:101pF@30V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH600UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: