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    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 800mA
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订23个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订23个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMH600UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW€2.2W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F 起订10000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F 起订10000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F 起订8个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F 起订8个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV450ENEAR 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV450ENEAR 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV450ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:323mW€554mW

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:101pF@30V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY08N50D2 起订560个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY08N50D2 起订560个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTY08N50D2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:312pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6Ω@400mA,0V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY08N50D2 起订1050个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY08N50D2 起订1050个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTY08N50D2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:312pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6Ω@400mA,0V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K62TU,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K62TU,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K62TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订2500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订2500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMH600UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW€2.2W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56MFV,L3F 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56MFV,L3F 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K56MFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMH600UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW€2.2W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K62TU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K62TU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K62TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMH600UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW€2.2W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMH600UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW€2.2W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订40个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订40个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMH600UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW€2.2W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56MFV,L3F 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56MFV,L3F 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K56MFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56MFV,L3F 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56MFV,L3F 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K56MFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56MFV,L3F 起订7个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56MFV,L3F 起订7个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K56MFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订23个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订23个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMH600UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW€2.2W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY08N50D2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY08N50D2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTY08N50D2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:312pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6Ω@400mA,0V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD113PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD113PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD113PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@800mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPS01N60C3 起订1137个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPS01N60C3 起订1137个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":42000,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPS01N60C3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:11W

    阈值电压:3.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY08N50D2 起订140个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY08N50D2 起订140个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTY08N50D2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:312pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6Ω@400mA,0V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPU01N60C3BKMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPU01N60C3BKMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":118859,"16+":15,"18+":34425,"19+":10837,"9999":375,"MI+":15420}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPU01N60C3BKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:11W

    阈值电压:3.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPU01N60C3BKMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPU01N60C3BKMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":118859,"16+":15,"18+":34425,"19+":10837,"9999":375,"MI+":15420}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPU01N60C3BKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:11W

    阈值电压:3.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDDL01N60Z-1G 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDDL01N60Z-1G 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":8775,"9999":1125}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDDL01N60Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:92pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:15Ω@400mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NDDL01N60ZT4G 起订842个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDDL01N60ZT4G 起订842个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":22500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDDL01N60ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:92pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:15Ω@400mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 SPU01N60C3BKMA1 起订863个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPU01N60C3BKMA1 起订863个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":118859,"16+":15,"18+":34425,"19+":10837,"9999":375,"MI+":15420}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPU01N60C3BKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:11W

    阈值电压:3.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV450ENEAR 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV450ENEAR 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV450ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:323mW€554mW

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:101pF@30V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订40个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订40个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMH600UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW€2.2W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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