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    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 300mA
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:100+
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    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K-AU_R1_000A2 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K-AU_R1_000A2 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-AU_R1_000A2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

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    ECCN:EAR99

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    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2N7002AKCX RFG

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    功率:357mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

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    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K-AU_R1_000A2 起订26个装
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K-AU_R1_000A2 起订26个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-AU_R1_000A2

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    类型:N沟道

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    - +
    起购:26
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    ECCN:EAR99

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    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    ECCN:EAR99

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    类型:N沟道

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    库存:

    - +
    起购:20
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K_R1_00001

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    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    功率:350mW

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    ECCN:EAR99

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    类型:N沟道

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    - +
    起购:30
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K-AU_R1_000A2
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K-AU_R1_000A2

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    功率:500mW

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    类型:N沟道

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    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K-AU_R1_000A2
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K-AU_R1_000A2

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-AU_R1_000A2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    起购:26
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG 起订20个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG 起订20个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2N7002AKCX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

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    起购:20
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2N7002AKCX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

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    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@5V

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    连续漏极电流:300mA

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    - +
    起购:21000
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K_R1_00001

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    功率:350mW

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    类型:N沟道

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    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K_R1_00001

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    功率:350mW

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    栅极电荷:0.8nC@5V

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    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K_R1_00001

    功率:350mW

    连续漏极电流:300mA

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    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:0.8nC@5V

    ECCN:EAR99

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    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K_R1_00001

    功率:350mW

    连续漏极电流:300mA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

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    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:0.8nC@5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2N7002AKCX RFG

    连续漏极电流:300mA

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:20pF@30V

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    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:1.65nC@10V

    ECCN:EAR99

    功率:357mW

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF2201NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@5V

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    类型:N沟道

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    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

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    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF2201NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@5V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002H6327XTSA2
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002H6327XTSA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002H6327XTSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:24
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002H6327XTSA2
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002H6327XTSA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002H6327XTSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:29
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002H6327XTSA2
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002H6327XTSA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002H6327XTSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Microchip Mosfet场效应管 VN2106N3-G
    Microchip Mosfet场效应管 VN2106N3-G

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN2106N3-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@3V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@3V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF0201NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF0201NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF0201NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@5V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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