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    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 2.1A
    当前匹配商品:100+
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    参数
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV120ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:513mW€6.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@30V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV130ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@20V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV120ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:513mW€6.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@30V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8824EDB-T2-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8824EDB-T2-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8824EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3422 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3422 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3422

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE30GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3422 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3422 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3422

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3422 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3422 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3422

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV130ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@20V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV130ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@20V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV130ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@20V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8810EDB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8810EDB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8810EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:245pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4306GTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4306GTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4306GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4306GTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4306GTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4306GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订9000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订9000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV130ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@20V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV120ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:513mW€6.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@30V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV120ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:513mW€6.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@30V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8810EDB-T2-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8810EDB-T2-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8810EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:245pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV120ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:513mW€6.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@30V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3422 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3422 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3422

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV130ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@20V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8810EDB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8810EDB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8810EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:245pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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