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    48A
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    包装方式
    功率
    漏源电压
    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 48A
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:30+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R060P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:164W

    阈值电压:4V@800µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2895pF@400V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4013pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4013pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4013pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R060P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R060P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R060P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:164W

    阈值电压:4V@800µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2895pF@400V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:70
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R060P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:164W

    阈值电压:4V@800µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2895pF@400V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP052N60EF-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP052N60EF-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP052N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:101nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3380pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@23A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Microchip Mosfet场效应管 APT30M70BVRG
    Microchip Mosfet场效应管 APT30M70BVRG

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT30M70BVRG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5870pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@500mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4013pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R060P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R060P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R060P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29W

    阈值电压:4V@800µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2895pF@400V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4013pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R060P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:164W

    阈值电压:4V@800µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2895pF@400V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R060P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:164W

    阈值电压:4V@800µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2895pF@400V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R060P7XKSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R060P7XKSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R060P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29W

    阈值电压:4V@800µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2895pF@400V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R060P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R060P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R060P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:164W

    阈值电压:4V@800µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2895pF@400V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:150
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R060P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:164W

    阈值电压:4V@800µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2895pF@400V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R060P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:164W

    阈值电压:4V@800µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2895pF@400V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R060P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:164W

    阈值电压:4V@800µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2895pF@400V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R060P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:164W

    阈值电压:4V@800µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2895pF@400V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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